7月3日，迪斯科（Disco）宣布，他們針對(duì)GaN單晶切片開發(fā)了一種激光切割優(yōu)化工藝KABRA，不但可以增加晶圓切片數(shù)量，還可以大幅減少切片加工時(shí)間。

金剛石線切割一直是氮化鎵晶錠切割的主要方法。然而，這種線切技術(shù)有幾個(gè)問題，加工時(shí)間、切割材料損失，以及切割表面不平整，需要配套研磨工藝，所以導(dǎo)致出片數(shù)量少，造成晶圓成本高昂，阻礙了氮化鎵功率器件的普及。

(資料圖片)

迪斯科表示，自從他們發(fā)布了用于SiC晶錠切割的KABRA工藝后，他們收到了許多制造商提出的氮化鎵設(shè)備要求，為此他們繼續(xù)研究和開發(fā)了針對(duì)氮化鎵的優(yōu)化KABRA工藝，這次發(fā)布新工藝是他們開發(fā)大規(guī)模生產(chǎn)技術(shù)的第一步。

據(jù)介紹，相較于線切割技術(shù)，他們的KABRA工藝具有出片數(shù)更多、加工時(shí)間更短等優(yōu)勢(shì)。

●切割出片數(shù)量方面，以2英寸、5mm的氮化鎵晶錠為例，在切割指定厚度為400微米的襯底時(shí)，KABRA工藝可切11片，相比之下出片數(shù)量增加了37.5%。

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●加工時(shí)間方面，采用傳統(tǒng)工藝，5mm厚度的氮化鎵晶錠大約耗時(shí)大約25小時(shí)，而KABRA工藝只需3小時(shí)左右，相較之下單個(gè)晶錠的切割時(shí)間可以節(jié)省88%。同時(shí)還可以節(jié)省后續(xù)的研磨時(shí)間。

用于氮化鎵晶圓大規(guī)模生產(chǎn)的KABRA工藝流程如下：

1.在晶錠內(nèi)部進(jìn)行激光輻照，形成KABRA層

2.剝離襯底片

3.將襯底片精磨至指定厚度

4.為下一次激光輻照研磨晶錠頂部表面

KABRA工藝流程

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